Tag: high-k-metal-gate

Home / Tag: High-K Metal Gate

SINCE 1998

by Velcho Stefanov | Tech Новини | 0 Comments | 26 мар. 2021

Samsung създадоха първия 512 GB DDR5 memory модул

Samsung обявиха, че са разработили първата за индустрията 512GB DDR5 памет, използвайки through-silicon via (TSV) технология.