Samsung създадоха първия 512 GB DDR5 memory модул

Samsung обявиха, че са разработили първата за индустрията 512GB DDR5 памет, използвайки through-silicon via (TSV) технология. С помощта на този метод Samsung натрупват осем слоя 16 GB DRAM чипове, като така предлагат впечатляващия до 512 GB капацитет на единичен модул. Относно скоростта се твърди, че пренася данни с 7200Mb за секунда.

Тази памет е разработена за интензивна работа, като AI, machine learning и анализ на данни. За да се подсигури енергийната ефективност, е използвана технология High-K Metal Gate (HKMG). Компанията твърди, че новата DRAM ползва с 13% по-малко енергия в сравнение с не-HKMG дизайните.

Въпреки, че HKMG технологията се използва основно за процесори, Samsung са я използвали също и в GDDR6 чип, разработен през 2018, а сега и за този модул. Повече за технологията можете да научите тук.

За да продължим Легендата имаме нужда от Вашата помощ – подкрепете ни в Patreon!